황진환 기자삼성전자가 올해 말 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 양산을 시작할 방침이다.
3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 이 같은 계획이 담긴 로드맵을 발표했다. 6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다.
삼성전자는 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획이다.
지난달 진행된 삼성전자 주주총회에서 경계현 디바이스솔루션(DS) 부문장도 올해 사업전략을 발표하면서 "D1c(6세대 10나노급) D램, 9세대 V낸드 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 업계를 선도하겠다"고 밝힌 바 있다.
앞서 삼성전자는 지난해 5월에 업계 최소 선폭 공정으로 5세대 10나노급 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산에 들어갔다.
또 삼성전자는 이번 멤콘에서 10나노급 7세대 제품을 2026년쯤 양산하고, 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램 생산에 도전하겠다는 계획도 함께 공개했다.