엔비디아의 차세대 AI 가속기 베라 루빈에 탑재되는 삼성전자 HBM4 제품 사진. 삼성전자 제공삼성전자가 미국에서 열리는 엔비디아의 연례 기술 콘퍼런스 GTC 2026를 계기로 차세대 고대역폭메모리 HBM4E의 실물을 세계 최초로 공개하며 "고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 밝혔다. 지난달 6세대 제품 HBM4를 엔비디아에 업계 최초로 양산 출하한 점을 감안하면 상당히 빠른 기술 고도화 행보다.
삼성전자는 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026 현장에 전시 공간을 마련하고 자사의 첨단 메모리 설루션을 총망라했다.
이곳에서 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'에 자사 HBM4부터 SSD(솔리드스테이트드라이브)까지 최신 메모리 설루션 전반을 공급함을 사실상 공식화 한 삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼까지 최초 공개함으로써 기술 경쟁력을 강조했다.
삼성전자 관계자는 HBM4E와 관련해 "메모리, 자체 파운드리(위탁 생산)와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 반도체 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps(초당 16기가비트) 속도와 4.0TB/s(초당 4.0테라바이트) 대역폭을 지원할 예정"이라고 설명했다.
이는 업계 최고로 평가되는 해당 기업의 HBM4 성능을 크게 웃도는 수치다. 엔비디아 베라 루빈에 탑재되는 삼성전자 HBM4의 핵심 구성품인 D램은 최선단 1c(10나노급 6세대) 공정으로 만들어졌다. D램을 떠받치며 전력과 신호를 제어하는 칩인 베이스다이에는 4나노 파운드리 공정이 적용됐다. 1나노는 10억분의 1미터를 의미하며, 공정이 미세해질수록 성능은 올라간다.
그 결과 삼성전자 HBM4의 동작 속도는 반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준 속도인 8Gbps(초당 8기가비트)를 약 46% 웃도는 11.7Gbps 수준이며, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다. 이를 기반으로 해당 HBM4 1개는 1초에 최대 3.3TB(테라바이트)에 달하는 데이터를 이동시킬 수 있는 성능(대역폭)을 갖췄다.
삼성전자는 이를 넘어서는 HBM4E 샘플을 올해 하반기에 출하할 계획이라고 밝혀왔는데, 이번에 실물을 공개함으로써 메모리 시장 주도권 강화를 위한 기술 개발 '전력 질주'가 이뤄지고 있음을 시장에 공표한 것으로 보인다.
삼성전자는 현장에서 영상을 통해 TCB(열압착 본딩) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 코퍼 본딩) 기술을 공개하며 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 경쟁력도 강조했다. TCB는 열과 압력을 이용해 D램 등을 접합하는 반도체 패키징 기술이다. 이에 비해 HCB는 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결함으로써 열 저항을 낮출 수 있으며 고적층 HBM 구현에도 유리하다고 이 기업 관계자는 설명했다.
한편 GTC 행사 둘째날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 현장 발표에 나선다. 송 센터장은 이 자리에서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 설루션 비전을 제시할 예정이다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있다는 점이 소개될 것이라고 삼성전자는 밝혔다.