삼성전자 8세대 V낸드. 삼성전자 제공메모리 반도체 세계 1위 삼성전자가 업계 최고 용량의 8세대 낸드플래시 반도체를 양산하며 '초격차' 유지에 나선다.
삼성전자는 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 들어갔다고 7일 밝혔다.
'1Tb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드'는 단위 면적당 저장되는 비트 수를 뜻하는 비트 밀도(Bit Density)가 업계 최고 수준인 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle(토글) DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다.
또, 8세대 V낸드는 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자 8세대 V낸드. 삼성전자 제공낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리 반도체로, 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓아 올리는 '적층' 기술이 경쟁력의 핵심 요소로 꼽힌다.
삼성전자가 지난 2013년 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내 각 층을 연결하는 'V(Vertical) 낸드'를 세계 최초로 개발한 이후 얼마나 단수를 높일 수 있는지가 기술력의 척도가 됐다.
미국의 마이크론은 지난 7월 세계 최초로 '200단'의 벽을 넘어 232단 낸드플래시 출하를 시작한다고 밝혔고, SK하이닉스도 곧 이어 238단 낸드플래시 개발 성공을 발표했다.
업계에서는 경쟁사들이 적층 경쟁에서 앞서가자 삼성전자의 '초격차' 전략이 흔들리고 있다는 평가가 나오기도 했다.
이에 삼성전자는 "단순히 높게 쌓는 것보다 고객에게 최고 효율 제품을 내놓는 것이 중요하다"는 입장을 밝혀왔고, 이번에 세계 최고 용량의 8세대 V낸드를 내놓게 됐다.
당초 삼성전자는 지난해 양산을 시작한 176단의 7세대 V낸드를 당분간 주력으로 삼을 계획이었지만 후발주자들의 추격으로 8세대 조기 양산에 나선 것으로 전해진다.
삼성전자는 8세대 V낸드의 단수는 공개하지 않았지만 업계에서는 236단으로 추정한다.
지난 2002년 낸드 시장 1위에 올라선 삼성전자는 20년 넘게 1위 자리를 지키고 있다. 옴디아에 따르면 올해 2분기 세계 낸드플래시 시장에서 삼성전자는 33%의 점유율로 1위를 유지했다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 Flash(플래시)개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 말했다.
앞서 삼성전자는 지난달 초 미국 실리콘밸리 '삼성 테크 데이'에서 올해 8세대 V낸드 양산에 이어 2024년에 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.
또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1천단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다. 1천단은 현재 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장 가능한 수준이다.