소자구조. 호서대 제공호서대학교(총장 김대현)는 전자융합공학부 배병성 교수팀이 반도체와 디스플레이산업 최신 기술인 계면산화막을 절연막으로 사용하는 수직구조 트랜지스터를 세계 최초로 개발했다고 28일 밝혔다.
호서대에 따르면 이번 기술을 이용하면 별도의 진공증착 없이 산소 분위기에서 열처리를 진행해 트랜지스터 구조의 절연층을 형성, 저전압 구동이 가능한 수직 구조의 트랜지스터를 형성할 수 있게 됐다.
이번 연구는 새로운 아이디어나 실패 위험이 큰 고위험 연구를 지원하는 한국연구재단의 한국형 SGER(Small Grant for Exploratory Research) 사업 지원으로 수행됐다.
연구결과는 세계적인 과학 저널 네이처(Nature)의 자매지 '사이언티픽 리포트(Scientific Reports)' 온라인판에 게재됐다.
연구책임자인 배병성 교수는 "이번 연구는 트랜지스터의 게이트 절연막을 형성하는 방법으로 기존 화학기상증착기(CVD)를 사용하지 않고 반도체 재료와 금속과의 경계면에서의 반응을 이용해 산소 분위기에서의 열처리로 얇은 산화막을 형성한 것"이라며 "0.5볼트의 낮은 동작 전압을 가지며 수직구조트랜지스터로서 인버터 회로도 0.5볼트의 낮은 전압에서 동작한다"고 말했다.