SK하이닉스 LPDDR5T. SK하이닉스 제공SK하이닉스는 현존 최고 속도 모바일용 D램 'LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)'를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.
LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 2개월 만에 업그레이드한 것이다.
신제품의 동작 속도는 초당 9.6기가비트(Gb)로 기존 제품보다 13% 빨라졌다.
SK하이닉스는 최고 속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 '터보(Turbo)'를 붙였다고 설명했다.
LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량 최소화를 목적으로 하고 있어 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다.
LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다.
신제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12볼트(V)에서 작동한다. 회사 측은 속도는 물론, 초저전력 특성도 동시에 구현한 제품이라고 강조했다.
SK하이닉스 관계자는 "초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 최근 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16기가바이트(GB) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다.
패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(풀-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.
SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 제품 양산에 들어갈 계획이다.
SK하이닉스 LPDDR5T. SK하이닉스 제공SK하이닉스는 신제품에도 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용했다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다.
IT 업계는 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도, 용량, 저전력 등 모든 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다.
SK하이닉스는 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(기계학습), 증강·가상현실 등으로 확대될 것으로 기대하고 있다.
류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 "이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객의 니즈(요구)를 충족시키게 됐다"며 "앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.