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경북대 연구진 세계 최고 주파수 특성의 반도체 전자소자 개발

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대구

    경북대 연구진 세계 최고 주파수 특성의 반도체 전자소자 개발

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     경북대 김대현 교수. 경북대학교 제공 경북대 김대현 교수. 경북대학교 제공
    경북대 연구진이 서브테라헤르츠(sub-THz) 대역의 6G 차세대 이동통신 시스템에 적용 가능한 세계 최고의 극초고주파 주파수 특성을 가지는 차세대 반도체 전자소자를 개발했다.

    8일 경북대에 따르면 전자공학부 김대현 교수와 박완수 석박사통합과정생은 국내 중견기업인 ㈜큐에스아이, 일본 NTT(Nippon Telegraph and Telephone Corporation) 연구진과의 공동 연구를 통해 세계 최고 수준의 주파수 특성을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터 (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT) 반도체 전자소자를 개발했다.

    이번 연구 성과는 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 박도체 학술대회인 국제반도체소자학회(이하 IEDM, IEEE International Electron Devices Meeting)에서 발표했다.

    김 교수팀의 연구는 이번 IEDM에서 발표된 250편 논문 중 올해 주목할 연구 성과 16편에 선정되기도 했다.

    김 교수팀이 개발한 반도체 전자소자는 디지털 동작 속도를 결정하는 차단 주파수(fT)가 0.75THz, 아날로그 및 디지털 시스템의 동작 주파수 대역을 결정하는 최대 공진 주파수(fmax)가 1.1THz인 특성을 가진다.

    이는 현재까지 발표된 반도체 전자소자들 중 가장 빠른 속도다.

    연구책임자인 김 교수는 "미래의 핵심 반도체 분야는 인공 지능 반도체와 6G 이동 통신용 반도체로 크게 두 가지 분야로 요약된다"며 "이번 연구 성과는 서브테라헤르츠 대역에서 구현될 것으로 예상되는 차세대 6G 이동 통신 반도체 시스템의 고성능, 고효율, 다기능화에 핵심 원천 기술이 될 것으로 예상된다"고 밝혔다.

    이번 연구는 삼성미래기술육성사업과 과학정보통신부 차세대화합물반도체핵심기술개발사업의 지원을 받아 진행됐다.


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