연합뉴스"HBM 1등 경쟁력을 지속적으로 유지할 것입니다" (27일,곽노정 SK하이닉스 사장 )
"향후 2~3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠습니다" (20일,경계현 삼성전자DS 대표이사 )
삼성전자 반도체부문과 SK하이닉스 대표가 각각 20일과 27일에 열린 주주총회에서 주주들을 상대로 한 말에서 온도차가 느껴진다. 이같은 온도차는 인공지능(AI) 가속기의 필수품인 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서의 경쟁에서 비롯됐다.
지난해 반도체 업황악화로 SK하이닉스는 2022년 4분기부터 지난해 3분기까지 연속 적자 행진을 했다. 하지만 지난해 챗GPT의 등장으로 본격적으로 AI시장이 열리면서 시장의 분위기는 확 바뀌었다. 그 배경에 HBM이 있는 것이다.
HBM은 D램을 여러 개 쌓아 속도를 높인 고성능 메모리 반도체로 빠른 연산 처리 속도를 요구하는 AI 분야에서 HBM이 필수품이 됐다.
HBM생산에서 SK하이닉스가 삼성전자보다 한발 앞서 나갔다.시장조사업체 트렌드포스에 따르면 작년 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%다. 4세대인 HBM3 시장은 SK하이닉스가 90%를 장악하고 있는 것으로 알려졌다.
앞서 삼성전자 주총에서는 "삼성전자가 HBM 사업 경쟁력에서 뒤처진 파장이 크다"는 주주의 지적이 나오기도 했다. 이에 대해 경계현 삼성전자DS 부문장은 "다시는 그런 일이 생기지 않도록 철저히 준비하겠다"고 몸을 낮췄다.
불붙은 차세대 HBM 전쟁…누가 살아남나
SK하이닉스 HBM3E. 연합뉴스지금 밀리면 AI시장에서 계속 후발주자에 머무를 수 있다는 위기감 때문에 HBM 시장에서 승기를 잡기 위한 메모리 반도체 업체들의 기술경쟁이 치열하다.
SK하이닉스는 최근 세계 최초로 5세대 'HBM3E'의 대규모 양산에 돌입했으며 엔비디아에 가장 먼저 납품을 시작했다. 12단 제품도 올 상반기 양산한다는 계획이다.
곽노정 사장은 27일 주총자리에서도 HBM에 대한 자신감을 내비쳤는데 "HBM에서는 기존 MR-MUF기술보다 열 방출 성능이 10% 개선된 어드벤스드 MR-MUF를 통해 12단 HBM3를 개발했고, 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E는 이달부터 제품 공급을 시작했다"고 설명했다.
MR-MUF는 SK하이닉스의 HBM 제조 기술로 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 한 번에 굳히는 공정이다. 반면 경쟁사인 삼성전자는 D램을 쌓을 때 칩 사이에 비전도성 필름을 넣는 열압착 비전도성 접착 필름(NCF) 방식을 사용하고 있다.
삼성전자 역시 HBM 시장에서의 주도권 회복을 위해 빠르게 추격하고 있다. 젠슨황 엔비디아 CEO가 "삼성전자의 HBM3E를 현재 테스트하고 있으며 기대가 크다"고 말 하면서, 향후 시장 주도권 변화에도 관심이 모아지고 있다.
삼성전자는 26일(현지시간) 미 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024'에서 삼성전자가 가지고 있는 CXL 기반 메모리와 HBM을 선보였다.
행사에서 D램 개발실장인 황상준 부사장은 "양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 상반기에 양산해 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 올해 HBM 출하량을 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있을 것으로 내다보고 있다.