삼성전자가 세계 최초로 20나노급 D램 양산에 들어갔다. 삼성은 일본과 대만 등 후발업체와의 기술 격차를 최소한 6개월 이상 벌릴 수 있게 됐다.
삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인 가동에 들어갔다. 삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 이건희 회장이 참석한 가운데 라인 가동식과 함께 ''20나노급 D램·낸드플래시 양산'' 행사를 가졌다.
삼성전자는 이곳에서 세계 최초로 20나노급 D램 양산을 시작했다. 20나노급 D램은 30나노급에 비해 생산성은 45% 정도 향상되고, 소비 전력은 40% 이상 줄어든 제품이다.
삼성은 20나노급 D램 양산으로 하이닉스와의 기술격차를 6개월, 일본의 엘피다와 미국의 마이크론, 대만의 냔야 등과의 기술격차는 1년 가량 벌릴 수 있게 됐다.
하이닉스는 내년 상반기, 엘피다와 마이크론은 내년 하반기는 돼야 20나노급 D램 양산이 가능할 것으로 전문가들은 보고 있다.
삼성전자는 1분기에 40나노급 이하 D램 비중이 70%였으나, 올해 말에는 30나노급 이하 비중을 50%로 높일 방침이다.
동양종금종권 박현 연구원에 따르면, 올해 3분기 평균 D램 반도체 공정별 비율은 삼성전자의 경우 56나노 9%, 46나노 69%, 35나노 23%다. 하이닉스는 54나노가 15%, 44나노 73%, 38나노가 12%, 마이크론은 50나노가 45%, 42나노 50%, 35나노가 5%, 엘피다는 65나노가 10%, 42나노 80%, 35나노가 10%다.
하이닉스 관계자는 "올해 말에 20나노급 D램 개발에 이어, 내년 초에 양산에 들어갈 예정"이라고 밝혔다.
삼성전자는 또 20나노 초반대 낸드플래시를 12인치 웨이퍼 기준으로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다. 낸드는 스마트폰, 태블릿PC, USB 등에 많이 사용된다.
삼성전자는 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.
하이닉스는 지난해 8월에 20나노급 중반대 낸드를 양산한 데 이어, 4분기부터는 20나노 초반대 낸드를 양산할 예정이다.
다만, 낸드의 경우 기술개발 가속화로 업체간 기술격차가 거의 나지 않는 것으로 전해졌다.
동양종금종권 박현 연구원은 "낸드플래시는 30나노대에서 20나노대 중반대로 공정이 개선될 경우 생산성이 40% 향상되고, 20나노 중반대에서 20나노 초반대로 개선될 경우 70% 향상된다"고 밝혔다.